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MOS管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極），S（源極），要求柵極和源極之間電壓大于某一特定值，漏極和源極才能導(dǎo)通。

mos管

MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管），包括耗盡型和增強(qiáng)型兩種類型。以增強(qiáng)型NMOS為例，場效應(yīng)管由源極、漏極、柵極組成，根據(jù)襯底的摻雜不同，可分為N溝道和P溝道場效應(yīng)管。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。

當(dāng)柵極沒有電壓時(shí)，源極和漏極之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管，不會有電流流過，此時(shí)場效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。而加入正柵極電壓或負(fù)柵極電壓后，可以將其從P型反轉(zhuǎn)為N型，使得源極和漏極之間的電壓和電流可以被控制。

增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。值得注意的是，MOS管的導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電，所以被稱為單極型晶體管。

mos管的作用

MOS管，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，是一種MOS管，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，是一種場效應(yīng)晶體管，由柵極、源極和漏極組成。它的主要作用是通過電場來控制漏極電流。在電路中，MOS管一般被用作電子開關(guān)，尤其在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開路漏極。開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流，因此被視為理想的模擬開關(guān)器件。MOS管還常用于配件提供穩(wěn)定電壓或信號切換，在主板、顯卡、電源等電路中發(fā)揮著重要的作用。

mos管和三級管的區(qū)別在哪

MOS管和三級管在電子器件中都是重要的組成部分，但它們之間存在一些顯著的區(qū)別：

1. 極性：MOS管是單極性器件，只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，而三級管既有多子也有少子導(dǎo)電，因此被稱為雙極性器件。

2. 導(dǎo)電機(jī)制：MOS管的電流由漂移運(yùn)動(dòng)而非擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生，其放大區(qū)導(dǎo)電特性更接近于金屬材料，可以看成有固定阻抗。相反，三級管的電流主要由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生。

3. 控制方式：MOS管是電壓控制元件，通過柵極電壓來控制源漏的導(dǎo)通情況；而三級管是電流控制元件，使用基極電流來控制發(fā)射極與集電極的導(dǎo)通情況。

4. 制造工藝和靈活性：MOS管的制造工藝更適合于集成電路，并且其靈活性比三級管好。

5. 損耗：在導(dǎo)通時(shí)，三極管存在兩個(gè)PN結(jié)的壓降，而MOS管的損耗要小于三極管。

6. 結(jié)構(gòu)：MOS管通?？梢院喕癁槿齻€(gè)極：柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。而三級管有三個(gè)極：基極（B）、發(fā)射極（E）和集電極（C）。

選擇使用MOS管還是三級管取決于具體的應(yīng)用需求，包括功耗、速度、尺寸和成本等因素。